기술분야 에너지·자원
기술명 양자점 태양전지용 광활성층, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
특허권자 국민대학교
출원번호 10-2015-0121899

1. 기술의 개요

 * 광활성화층을 포함하는 태양전지

  - 스프레이 분사 압력, 리간드의 종류, 리간드의 농도, 리간드 교환을 위한 침지 시간 및 사용하는 양자점의 밴드갭 등을 최적의 범위로 조절

  - 전자 전달층 상부에 pbS 양자점을 함유하는 용액을 스프레이 분사하여 pbS 양자점 반도체 층을 형성

  - pbS 양자점 반도체층을 EDP 용액 및 TBAI 용액을 포함하는 리간드 용액에 침지시켜 pbS 양자점 반도체층의 표면에서 리간드를 결합

  - 리간드가 결합된 pbS 양자점 반도체층을 세척

 

2. 경쟁기술대비 특장점

  - 상온 및 상압에서 수행 가능

  - 스프레이 분사 압력, 리간드의 종류, 리간드의 농도, 리간드 교환을 위한 침지 시간 및 사용하는 양자점의 밴드갭 등을 최적의 범위로 조절

  - 태양전지에 적용할 경우 단락전류 밀도, 개방 전압, 성능 지수 미 전력변환 효율 등이 향상

문의처 주식회사 이산컨설팅그룹
전화번호 025565559
이메일 escho@isan.co.kr
첨부파일 첨부파일 [국민대학교] 양자점 태양전지용 광활성층, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법.pdf
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